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VWM350-0075P |
V2-PAK | IXYS | 168 | 询价QQ: |
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VWM350-0075P参数 产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列 说明:MOSFET 6N-CH 75V 340A 75V V2 包装数量:6 包装形式:散装 PDF资料下载: FET 型:6 N-沟道(3 相桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:340A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.3 毫欧 @ 250A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 2mA 闸电荷(Qg) @ Vgs:450nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:- 安装类型:通孔 |
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热门型号: 拨动开关1TL11-5 DC DC ConR2S-053.3 时钟/计时 - 专ICS9LPRS511EGLFT 电阻器网络,阵列MNR34J5ABJ910 单二极管/齐纳BZX79-B39,113 DC DC ConVI-J73-IY-S LED 电源LXV150-056S 通孔电阻器OF181J 数据采集 - 数字ISL22326UFV14Z Card EdgeGCM24DCBN |