元器件采购网 > V-3094页 > FET - 阵列VWM350-0075P
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VWM350-0075P

V2-PAK IXYS 168
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VWM350-0075P参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET 6N-CH 75V 340A 75V V2
包装数量:6
包装形式:散装
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FET 型:6 N-沟道(3 相桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:340A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.3 毫欧 @ 250A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:450nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:-
安装类型:通孔

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